高压功率VDMOS管的设计研制

• 作者: 何杞鑫 方绍华 王英
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOS 优化外延层 终端保护技术
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 5-8
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2534字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.01.002

摘要

随着功率电子器件进一步向高压、高频、大电流方向发展,VDMOS晶体管的市场将会越来越广阔.通过综合各种模型,优化外延层厚度和掺杂浓度,设计了高压VDMOS器件的元胞图形以及器件尺寸,并在终端利用新的思路,从而提高了漏源击穿电压,基于理论分析在工艺上成功实现了耐压为500 V,导通电流为3 A的功率VDMOS器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何杞鑫	浙江大学信电系	16	168	6.0	12.0
2	王英	浙江大学信电系	23	622	7.0	23.0
3	方绍华	浙江大学信电系	2	62	2.0	2.0