功率VDMOS的EMI分析

• 作者: 包慧萍 周嵘 李泽宏 陈文梅
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 功率VDMOS 电磁干扰 振荡 栅电阻 输入电容 米勒电容
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 41-44
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2446字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.09.009

摘要

针对功率VDMOS器件在实际应用中的电磁干扰(EMI)问题,对国内两家公司两款高压VDMOS产品进行应用于LED驱动电源模块的整机EMI测试以及VDMOS样管的动态特性测试,提出了功率VDMOS的EMI噪声优化方案.分析结果表明:适当增大VDMOS的寄生栅电阻Rg,增大VDMOS的输入电容Ciss和米勒电容Cgd可改善VDMOS器件EMI性能,但这会增加VDMOS器件的开关损耗.因此,在器件设计时需根据实际应用折中考虑.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李泽宏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	32	111	6.0	8.0
2	周嵘		3	3	1.0	1.0
3	陈文梅	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	1	1.0	1.0
4	包慧萍	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	1	1.0	1.0