高压功率VDMOS元胞的研制

• 作者: 冯全源 干红林 王丹
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 功率器件 垂直双扩散场效应管 元胞设计 导通电阻 版图 流片
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 47-49,61
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2177字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.02.012

摘要

基于Sentaurus TCAD仿真软件，在外延层参数与生产工艺确定的情况下，通过调整元胞的多晶硅长度优化特征导通电阻，并通过对版图元胞面积的准确计算，设计了三款导通电阻目标值为2.4，3.0和3.3Ω的高压功率VDMOS芯片。流片结果显示，导通电阻的平均值与版图计算值吻合度均超过96%，表明了该设计方法、仿真参数及版图设计具有较高的可靠性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯全源	西南交通大学微电子研究所	261	1853	19.0	26.0
2	王丹	西南交通大学微电子研究所	52	211	8.0	12.0
3	干红林	西南交通大学微电子研究所	4	12	3.0	3.0