功率VDMOS器件用硅外延材料研制

• 作者: 顾爱军 马林宝
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 外延 颗粒 电阻率 厚度 均匀性
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 38-42
• 分类号: TN304
• 字数: 4181字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2011.09.011

摘要

文章阐述了硅功率VDMOS器件的基本原理和器件结构，也展现了作为电力电子器件其广阔的应用领域，提出了功率VDMOS器件对硅外延材料的要求和发展方向。依据功率器件对外延片的要求，通过优化外延工艺程序和优化外延工艺参数，消除或减弱了自掺杂对电阻率均匀性的影响，消除了过渡区对厚度均匀性的影响，也较好地控制了外延层中的结构缺陷和表面形貌，研制出了符合功率器件的大尺寸外延材料。同时，详细研究了硅外延材料参数与VDMOS功率器件电性能参数之间的对应关系，为功率器件的发展和普及奠定了基础。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马林宝		2	4	2.0	2.0
2	顾爱军		10	13	2.0	2.0