高阻薄层硅外延材料研制

• 作者: 王银海 谭卫东 邓雪华 马利行 骆红
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 外延 高阻薄层 自掺杂 均匀性
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 页码范围: 39-41
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 1136字
• 语种: 中文

摘要

根据绝大多数分立器件的技术要求，常规硅外延层电阻率的数值会小于厚度的数值。介绍了一种外延层电阻率数值接近甚至大于厚度数值的高阻薄层硅外延材料的实用生产技术，即在PE-2061S桶式外延设备上，采取特殊的工艺方法，在掺砷（As）衬底上进行高阻薄层外延生长。该工艺通过控制自掺杂，改善了纵向载流子浓度分布，取得了较好的外延参数均匀性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭卫东		5	18	3.0	4.0
2	骆红		4	16	3.0	4.0
3	马利行		4	17	3.0	4.0
4	王银海		7	4	1.0	2.0
5	邓雪华		3	4	1.0	2.0