总剂量辐照加固的功率VDMOS器件

• 作者: 张磊 李泽宏 谭开洲
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 功率VDMOS器件 薄栅氧化层 阚值电压漂移 总剂量辐照
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 电子信息材料与器件
• 页码范围: 621-623
• 页数: 3页
• 分类号: TN386
• 字数: 2240字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2008.04.038

摘要

采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺,研制出一种抗总荆量辐照加固功率VDMOS器件,给出了该器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据,通过和二维数值仿真比较,表明实验数据和仿真数据能较好吻合,对研制的功率VDMOS器件在X射线模拟源辐照总剂量972×103rad(Si)下,阈值电压仅漂移-1V.结果证明,工艺改善了功率VDMOS器件的抗总刑量辐照能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张磊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	37	231	9.0	13.0