高压VDMOS的设计

• 作者: 郝晓波
• 来源期刊: 数字技术与应用
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOS 结构 设计指标 版图
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 101-102
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1756字
• 语种: 中文

摘要

本文通过VDMOS的电参数来确定其结构参数.通过击穿电压来确定外延层的厚度和电阻率.通过阈值电压来确定栅氧的厚度.由饱和电流的表达式可知元胞的最大通态电流.导通电阻和击穿电压是两个相互矛盾的参数,增加击穿电压和降低导通电阻对器件尺寸的要求是矛盾的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝晓波		6	0	0.0	0.0