高压VDMOS电容的研究

• 作者: 刘侠 孙伟锋 杨东林 王钦
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOS 电容 导通电阻
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 783-786
• 页数: 4页
• 分类号: TM53
• 字数: 2861字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.03.014

摘要

本文主要研究了VDMOS电容的组成,详细分析了Ciss、Coss和Crss这3个VDMOS电容参数的定义和各自对应的特性,并从模拟上着重分析了沟道长度和栅氧厚度对电容的影响.文中提出一种反馈电容较低的VDMOS新单元结构,在相同的尺寸条件下,新结构单元Qg*Rdson的优值较之传统型设计显著下降.