低压VDMOSFET的设计与研制

• 作者: 卢雪梅 杜文博 石广源
• 来源期刊: 辽宁大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 低压VDMOS 结深 特征导通电阻 终端结构
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 页码范围: 299-301
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1862字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2008.04.004

摘要

对击穿电压为60 V,导通电阻为10 mΩ VDMOSFET进行了优化设计.给出了外延层电阻率,外延层厚度,单胞尺寸等的优化设计方法和具体值.提出了多晶硅场板结构的终端理论和终端设计,使该器件既满足指标要求又能最低限度的降低成本.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢雪梅	辽宁大学物理学院	8	12	2.0	3.0
2	石广源	辽宁大学物理学院	39	119	6.0	8.0
3	杜文博	辽宁大学物理学院	1	0	0.0	0.0