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摘要:
以正方形单胞为例,较系统的分析了VDMOSFET的物理机制及其工作原理,并通过大量计算找出多晶硅窗口区尺寸LW和多晶硅尺寸LP的最佳设计比例,阐述了器件的最佳化设计思想.
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文献信息
篇名 VDMOSFET的最佳设计
来源期刊 辽宁大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 VDMOSFET 特征导通电阻Ron 单胞尺寸
年,卷(期) 2004,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 27-30
页数 4页 分类号 TN986.1
字数 3210字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-5846.2004.01.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王中文 辽宁大学物理系 18 108 6.0 9.0
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研究主题发展历程
节点文献
VDMOSFET
特征导通电阻Ron
单胞尺寸
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1974
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