VDMOSFET终端场板的设计考虑

• 作者: 张颖
• 来源期刊: 辽宁大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 场板 氧化层厚度 场板长度 击穿电压
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 332-335
• 页数: 4页
• 分类号: TN312
• 字数: 1851字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2001.04.010

摘要

对最基本的场板结构,通过理论推导,深入讨论了场板下氧化层厚度与击穿电压、氧化层玷污所带正电荷电量之间的关系;又给出了场板长度值与击穿电压和P+区结深之间的关系.为VDMOSFET的结构设计和工艺实施提供了理论的依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张颖	辽宁大学物理系	18	52	4.0	6.0