高压LDMOS导通电阻的高温特性分析

• 作者: 柯导明 陈军宁
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高压LDMOS 导通电阻 高温等效电路
• 年，卷（期）: 2002,（8）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1111-1113
• 页数: 3页
• 分类号: TN722.1
• 字数: 2249字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2002.08.005

摘要

本文提出了高压LDMOS的高温等效电路,讨论了LDMOS泄漏电流及本征参数在25℃～300 ℃范围内随温度变化规律.根据本文分析:源漏pn结的反向泄漏电流决定了LDMOS的高温极限温度;导通电阻与温度的关系是(T/T1)y(y为1.5～2.5).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柯导明	安徽大学电子工程系	83	423	10.0	17.0
2	陈军宁	安徽大学电子工程系	160	1135	16.0	26.0