高温、高压LDMOS导通电阻的特性

• 作者: 朱德智 柯导明 陈军宁
• 来源期刊: 安徽大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOS 导通电阻 等效电路
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 页码范围: 63-68
• 页数: 6页
• 分类号: T401
• 字数: 1870字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2162.2002.04.014

摘要

本文提出了高温、高压LDMOS的等效电路,讨论了LDMOS泄漏电流及其本征参数在高温下随温度变化的规律.根据分析,漏pn结的反向泄漏电流决定了LDMOS的高温极限温度,导通电阻与温度的关系为Ron∝((T)/(T1))y(y=1.5～2.5).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柯导明	安徽大学计算机科学与信息工程学院	83	423	10.0	17.0
2	陈军宁	安徽大学计算机科学与信息工程学院	160	1135	16.0	26.0
3	朱德智	安徽大学计算机科学与信息工程学院	3	9	2.0	3.0