基于0.18 μm工艺SOI技术60 V LDMOS的设计与分析

• 作者: 宋雯 戚帆 檀柏梅 翁坤
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上硅 LDMOS 器件流片测试 器件结构 直流特性
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 139-142
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2190字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2013.02.001

摘要

随着功率器件尺寸的不断缩小,绝缘体上硅技术所受的关注度日益增加.在0.18μm工艺条件下基于SOI技术,运用SILVACO公司的工艺仿真(Athena)和(Atlas)器件仿真模拟软件,完成了对60 V LDMOS的设计与分析,对不同沟道管宽度的器件进行研究,并结合实际流片的测试结果,对器件直流性能进行了表征与分析,发现SOI器件无明显的由氧化埋层隔离作用所产生的显著影响器件性能的浮体效应和kink效应,实现了性能优良的小尺寸60 V LDMOS器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	檀柏梅	河北工业大学微电子技术与材料研究所	85	534	13.0	18.0
2	翁坤	福州大学福建省微电子集成电路重点研究室	3	5	2.0	2.0
3	宋雯	河北工业大学微电子技术与材料研究所	2	6	2.0	2.0
4	戚帆	河北工业大学微电子技术与材料研究所	2	6	2.0	2.0