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摘要:
在深亚微米的工艺条件下,随着栅氧厚度、结深、沟道长度的减小,漏端最大电场强度增大.热载流子效应的影响变大,它对器件的寿命、可靠性等有很大影响.因此,要得到一个最佳的器件性能,通过对热载流子效应的分析,特别是通过对LDD MOS器件的模拟,分析了轻掺杂漏对热载流子效应的抑制作用,以及轻掺杂源漏的注入剂量和能量对器件的影响.通过分析我们可以看到:LDD结构通过两条途径来抑制热载流子效应:弱化漏端电场和使得漏端最大电场离开栅极.增大注入剂量对于提高电流驱动能力有好处,但在剂量达到约1x1013cm-2以后,驱动电流的增加就显得困难.最后我们得出n-区掺杂浓度1x1013-2cm附近.注入能量定为30keV时器件性能最佳.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 LDD MOS器件模拟及热载流子效应分析
来源期刊 电测与仪表 学科 工学
关键词 场效应管 热载流子效应 LDD MOS
年,卷(期) 2008,(4) 所属期刊栏目 电路、组件及其应用
研究方向 页码范围 57-60
页数 4页 分类号 TN386
字数 2648字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-1390.2008.04.015
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张文俊 清华大学微电子学研究所 30 1031 6.0 30.0
2 徐杰 黑龙江科技学院电气与信息工程学院 21 66 4.0 7.0
3 张锐 黑龙江科技学院电气与信息工程学院 11 16 3.0 3.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
场效应管
热载流子效应
LDD MOS
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电测与仪表
半月刊
1001-1390
23-1202/TH
大16开
哈尔滨市松北区创新路2000号
14-43
1964
chi
出版文献量(篇)
7685
总下载数(次)
22
总被引数(次)
55393
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
论文1v1指导