LDD MOS器件模拟及热载流子效应分析

• 作者: 张文俊 张锐 徐杰
• 来源期刊: 电测与仪表
• 学科: 工学
• 关键词: 场效应管 热载流子效应 LDD MOS
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 电路、组件及其应用
• 页码范围: 57-60
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2648字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1390.2008.04.015

摘要

在深亚微米的工艺条件下,随着栅氧厚度、结深、沟道长度的减小,漏端最大电场强度增大.热载流子效应的影响变大,它对器件的寿命、可靠性等有很大影响.因此,要得到一个最佳的器件性能,通过对热载流子效应的分析,特别是通过对LDD MOS器件的模拟,分析了轻掺杂漏对热载流子效应的抑制作用,以及轻掺杂源漏的注入剂量和能量对器件的影响.通过分析我们可以看到:LDD结构通过两条途径来抑制热载流子效应:弱化漏端电场和使得漏端最大电场离开栅极.增大注入剂量对于提高电流驱动能力有好处,但在剂量达到约1x1013cm-2以后,驱动电流的增加就显得困难.最后我们得出n-区掺杂浓度1x1013-2cm附近.注入能量定为30keV时器件性能最佳.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张文俊	清华大学微电子学研究所	30	1031	6.0	30.0
2	徐杰	黑龙江科技学院电气与信息工程学院	21	66	4.0	7.0
3	张锐	黑龙江科技学院电气与信息工程学院	11	16	3.0	3.0