多晶硅TFT热载流子效应的模拟研究

• 作者: 于宗光 刘小红 岑晨 钟传杰 陶晶晶 顾晓峰
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅薄膜晶体管 热裁流子效应 界面陷阱 模拟
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 封装、组装与测试
• 页码范围: 11-14
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.94
• 字数: 1827字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2009.03.003

摘要

热载流子效应引起的器件电学特性退化会严重影响电路的工作性能.文章结合多晶硅薄膜晶体管沟道电流的理论模型,讨论了热载流子效应与界面陷阱的关系.沟道载流子在大的漏电场牵引下,运动到漏结附近获得很大的能量从而成为热载流子.如果热载流子能量超过Si-SiO2界面势垒高度,会注入到栅氧层或陷落到界面陷阱,使阈值电压和沟道电流发生退化现象.同时,对多晶硅薄膜晶体管输出特性进行了模拟分析,模拟结果与理论模型基本一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于宗光	江南大学信息工程学院	89	354	9.0	14.0
5	陶晶晶	江南大学信息工程学院	1	0	0.0	0.0
6	岑晨	江南大学信息工程学院	1	0	0.0	0.0
7	刘小红	江南大学信息工程学院	5	2	1.0	1.0
8	顾晓峰	江南大学信息工程学院	115	265	9.0	11.0
9	钟传杰	江南大学信息工程学院	53	90	5.0	7.0