MOSFET器件热载流子效应SPICE模型

• 作者: 刘斯扬 孙伟锋 孙陈超 张春伟 戴佼容
• 来源期刊: 东南大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 热载流子效应 退化
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 页码范围: 12-16
• 页数: 5页
• 分类号: TN322
• 字数: 4225字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0505.2015.01.003

摘要

为了预测MOSFET器件在热载流子效应影响下的退化情况,建立了一套描述MOSFET器件热载流子效应的可靠性SPICE模型.首先,改进了BSIM3v3模型中的衬底电流模型,将拟合的精确度提高到95％以上.然后,以Hu模型为主要理论依据,结合BSIM3v3模型中各参数的物理意义及其受热载流子效应影响的物理机理,建立了器件各电学参数在直流应力下的退化模型.最后,依据准静态方法将该模型应用于热载流子交流退化模型中.实验数据显示,直流和交流退化模型的仿真结果与实测结果的均方根误差分别为3.8％和4.5％.该模型能准确反映MOSFET器件应力下电学参数的退化情况,且为包含MOSFET器件的电路的性能退化研究提供了模拟依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙伟锋	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	105	634	13.0	19.0
2	刘斯扬	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	21	54	4.0	5.0
3	张春伟	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	8	18	3.0	4.0
4	戴佼容	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	1	6	1.0	1.0
5	孙陈超	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	2	6	1.0	2.0