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摘要:
首先简单地讨论热载流子效应的背景及其物理机制.然后,提出了一种常用的用来推算金属氧化物场效应晶体管的热载流子效应的寿命的模型,Hu模型.在这些研究的基础上,才能更好地研究来削弱MOSFET的热载流子效应及提高MOSFET的热载流子效应的寿命的方法.
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载流子寿命
提取
IGBT
模拟
SPICE
MOSFET器件热载流子效应SPICE模型
MOSFET
热载流子效应
退化
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 MOSFET的热载流子效应及其寿命的评估方法
来源期刊 辽宁大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 热载流子效应 金属氧化物场效应晶体管 Hu模型.
年,卷(期) 2009,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 129-132
页数 4页 分类号 TN303
字数 3363字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-5846.2009.02.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 卢雪梅 辽宁大学物理学院 8 12 2.0 3.0
2 蒋轲 辽宁大学物理学院 1 2 1.0 1.0
3 石广源 辽宁大学物理学院 39 119 6.0 8.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
热载流子效应
金属氧化物场效应晶体管
Hu模型.
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
辽宁大学学报(自然科学版)
季刊
1000-5846
21-1143/N
大16开
沈阳市皇姑区崇山中路66号
8-147
1974
chi
出版文献量(篇)
1909
总下载数(次)
2
总被引数(次)
9019
论文1v1指导