MOSFET的热载流子效应及其寿命的评估方法

• 作者: 卢雪梅 石广源 蒋轲
• 来源期刊: 辽宁大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 热载流子效应 金属氧化物场效应晶体管 Hu模型.
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 页码范围: 129-132
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 字数: 3363字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2009.02.009

摘要

首先简单地讨论热载流子效应的背景及其物理机制.然后,提出了一种常用的用来推算金属氧化物场效应晶体管的热载流子效应的寿命的模型,Hu模型.在这些研究的基础上,才能更好地研究来削弱MOSFET的热载流子效应及提高MOSFET的热载流子效应的寿命的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢雪梅	辽宁大学物理学院	8	12	2.0	3.0
2	蒋轲	辽宁大学物理学院	1	2	1.0	1.0
3	石广源	辽宁大学物理学院	39	119	6.0	8.0