MOSFET瞬态脉冲热阻的测量及其变化规律研究

• 作者: 刘超群
• 来源期刊: 机电信息
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 瞬态脉冲热阻 栅极电压 瞬态双界面法
• 年，卷（期）: 2022,（13）
• 所属期刊栏目: 电气工程与自动化
• 页码范围: 1-4
• 页数: 3页
• 分类号: TN407
• 语种: 中文
• DOI: 10.19514/j.cnki.cn32-1628/tm.2022.13.001

摘要

半导体器件正不断朝高功率、高电压、大电流方向发展，随之而来的是高功率带来的发热和散热难题。现以MOSFET作为研究对象，对瞬态热阻进行测量与分析，研究MOSFET瞬态热阻在不同栅极电压下的变化规律。实验结果表明，MOSFET瞬态热阻随栅极电压VGS绝对值的增大而减小，但对于不同的器件，热阻减小的幅度不同。通过分析得到引起上述现象的原因在于，当栅极电压变化时，沟道和漂移区的物理尺寸发生变化，从而对热流的扩散长度产生影响，改变了通道的导通电阻分布，并且导电通道内的峰值温度点会发生变化。