NMOS管热载流子衰退效应评价模型及寿命预测方法研究

• 作者: 于宗光 周川淼 章晓文 赵文彬 陈慧蓉
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 热载流子效应 栅氧厚度 模型参数 寿命
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 纳米,固态及真空电子器件
• 页码范围: 1472-1474,1478
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2414字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.05.018

摘要

热载流子是器件可靠性研究的热点之一.特别对于亚微米器件,热载流子失效是器件失效的一个最主要方面.通过对这种失效机理及其失效模型的研究,为设计和工艺提供帮助,从而有效降低由热载流子引起的电路失效,提高电路可靠性.本文主要针对几种典型工艺的栅氧厚度(例如:Tox分别为150 (A)、200 (A)、250 (A))的NMOSFET进行加速应力实验,提取寿命模型的相关参数,估算这些器件在正常工作条件下的寿命值,对亚微米工艺器件寿命进行快速评价.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	章晓文		16	78	5.0	7.0
2	于宗光	西安电子科技大学微电子学院	12	48	4.0	6.0
4	赵文彬	西安电子科技大学微电子学院	3	9	2.0	3.0
8	陈慧蓉		1	3	1.0	1.0
9	周川淼		1	3	1.0	1.0