提取IGBT外延层载流子寿命的新方法

• 作者: 朱长纯 袁寿财
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 载流子寿命 提取 IGBT 模拟 SPICE
• 年，卷（期）: 2002,（12）
• 所属期刊栏目: 微电子技术
• 页码范围: 59-63,67
• 页数: 6页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2002.12.019

摘要

文章提出了一种基于IGBT等效电路模型及其Ⅰ-Ⅴ特性曲线拟合提取IGBT低掺杂外延层载流子寿命的新方法.文中的IGBT模型运用精确的双极输运理论而不是其它文献报到的准静态条件假设,通过压控电阻模型准确描述IGBT高阻厚外延层的电导调制效应,取得了很好的效果.该模型完全与SPICE应用程序兼容,可以精确算出IGBT输出Ⅰ-Ⅴ特性及载流子寿命等参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱长纯		215	2372	22.0	41.0
2	袁寿财		15	174	7.0	13.0