超薄栅n-MOSFETs热载流子寿命预测模型

• 作者: 段小蓉 穆甫臣 许铭真 谭长华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: HCI 热载流子效应 n-MOSFET 寿命预测
• 年，卷（期）: 2001,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1306-1309
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2686字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.10.016

摘要

对氧化层厚度为4和5nm的n-MOSFETs进行了沟道热载流子应力加速寿命实验,研究了饱和漏电流在热载流子应力下的退化.在饱和漏电流退化特性的基础上提出了电子流量模型,此模型适用于氧化层厚度为4 5nm或更薄的器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭长华	北京大学微电子所	48	99	5.0	7.0
2	许铭真	北京大学微电子所	52	102	5.0	7.0
3	穆甫臣	北京大学微电子所	7	14	2.0	3.0
4	段小蓉	北京大学微电子所	9	26	3.0	5.0