超薄栅MOS器件热载流子应力下SILC的产生机制

• 作者: 杨国勇 毛凌锋 王子欧 王金延 许铭真 谭长华 霍宗亮
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 应力感应漏电流 热载流子应力 超薄栅氧化层 MOS器件
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 579-585
• 页数: 7页
• 分类号: TN43
• 字数: 1465字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.06.004

摘要

通过测量界面陷阱的产生,研究了超薄栅nMOS和pMOS器件在热载流子应力下的应力感应漏电流(SILC).在实验结果的基础上,发现对于不同器件类型(n沟和p沟)、不同沟道长度(1、0.5、0.275和0.135μm)、不同栅氧化层厚度(4和2.5nm),热载流子应力后的SILC产生和界面陷阱产生之间均存在线性关系.这些实验证据表明MOS器件减薄后,SILC的产生与界面陷阱关系非常密切.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	霍宗亮	北京大学微电子学研究所	8	12	2.0	2.0
2	毛凌锋	北京大学微电子学研究所	16	38	4.0	4.0
3	谭长华	北京大学微电子学研究所	48	99	5.0	7.0
4	许铭真	北京大学微电子学研究所	52	102	5.0	7.0
5	王金延	北京大学微电子学研究所	13	15	2.0	3.0
6	杨国勇	北京大学微电子学研究所	18	93	6.0	9.0
7	王子欧	北京大学微电子学研究所	6	35	2.0	5.0