超薄栅下LDD nMOSFET器件GIDL应力下退化特性

• 作者: 周鹏举 唐瑜 孟志琴 曹艳荣 郝跃 陈海峰 马晓华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 栅致漏极泄漏 CMOS 阈值电压 栅漏电压
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1662-1667
• 页数: 6页
• 分类号: O3
• 字数: 4015字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.03.072

摘要

对1.4nm超薄栅LDD nMOSFET器件栅致漏极泄漏GIDL(gate-induced drain leakage)应力下的阈值电压退化进行了研究.GIDL应力中热空穴注进LDD区界面处并产生界面态,这导致器件的阈值电压变大.相同栅漏电压VDG下的不同GIDL应力后阈值电压退化量的对数与应力VD/VDG的比值成正比.漏偏压VD不变的不同GIDL应力后阈值电压退化随着应力中栅电压的增大而增大,相同栅偏压VG下的不同GIDL应力后阈值电压退化也随着应力中漏电压的增大而增大,这两种应力情形下退化量在半对数坐标下与应力中变化的电压的倒数成线性关系,它们退化斜率的绝对值分别为0.76和13.5.实验发现器件退化随着应力过程中的漏电压变化远大于随着应力过程中栅电压的变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院	312	1866	17.0	25.0
2	陈海峰	西安电子科技大学微电子学院	8	32	4.0	5.0
3	马晓华	西安电子科技大学微电子学院	40	140	7.0	8.0
4	唐瑜	西安电子科技大学微电子学院	3	19	3.0	3.0
5	孟志琴	西安电子科技大学微电子学院	3	19	3.0	3.0
6	曹艳荣	西安电子科技大学微电子学院	11	41	5.0	6.0
7	周鹏举	西安电子科技大学微电子学院	3	16	3.0	3.0