SHH应力下超薄栅氧PMOS器件退化研究

• 作者: 吴笑峰 席在芳 胡仕刚
• 来源期刊: 中南大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 衬底热空穴 阈值电压 栅氧化层 应力感应泄漏电流 MOS器件
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 所属期刊栏目: 机械工程·控制科学与工程
• 页码范围: 2741-2745
• 分类号: TN432
• 字数: 2764字
• 语种: 中文

摘要

对超薄栅氧PMOS器件衬底热空穴(SHH)应力下SILC(应力感应泄漏电流)特性和机理进行研究.研究结果表明:在SHH应力下,栅电流在开始阶段减小,这是正电荷在氧化层中积累的结果；随后栅电流慢慢地增加,最后,当在氧化层中积累的正电荷密度达到一个临界值时,栅上漏电流迅速跳变到较大数量级上,说明器件被击穿；当注入空穴通过Si-O网络时,随着注入空穴流的增加,化学键断裂的概率增加；当1个Si原子的2个Si-O键同时断裂时,将会导致Si-O网络不可恢复;Si-O键断裂导致氧化层网络结构发生改变和损伤积累,最终导致氧化层破坏性被击穿.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	席在芳	湖南科技大学信息与电气工程学院	62	179	7.0	11.0
2	吴笑峰	湖南科技大学信息与电气工程学院	40	147	7.0	10.0
3	胡仕刚	湖南科技大学信息与电气工程学院	37	88	5.0	8.0