超深亚微米LDD nMOSFET中的非幸运电子模型效应

• 作者: 于春利 杨林安 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: LDD nMOSFET 热载流子退化 沟道热载流子应力 漏雪崩热载流子应力 幸运电子模型
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1390-1395
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 3230字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.07.020

摘要

通过对采用0.18μm CMOS工艺制造的两组不同沟道长度和栅氧厚度的LDD器件电应力退化实验发现,短沟薄栅氧LDD nMOSFET(Lg=0.18μm,Tox=3.2nm)在沟道热载流子(CHC)应力下的器件寿命比在漏雪崩热载流子(DAHC)应力下的器件寿命要短,这与通常认为的DAHC应力(最大衬底电流应力)下器件退化最严重的理论不一致.因此,这种热载流子应力导致的器件退化机理不能用幸运电子模型(LEM)的框架理论来解释.认为这种"非幸运电子模型效应"是由于最大碰撞电离区附近具有高能量的沟道热电子,在Si-SiO2界面产生界面陷阱(界面态)的区域,由Si-SiO2界面的栅和漏的重叠区移至沟道与LDD区的交界处以及更趋于沟道界面的运动引起的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子所	312	1866	17.0	25.0
2	杨林安	西安电子科技大学微电子所	17	95	6.0	9.0
3	于春利	西安电子科技大学微电子所	8	63	4.0	7.0