开态热载流子应力下的n-MOSFETs的氧化层厚度效应

• 作者: 穆甫臣 胡靖 许铭真 谭长华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: HCI 热载流子效应 氧化层厚度效应 寿命预测模型 器件可靠性
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 290-295
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 712字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.03.012

摘要

在最大衬底电流条件下(Vg=Vd/2),研究了不同氧化层厚度的表面沟道n-MOSFETs在热载流子应力下的退化.结果表明, Hu的寿命预测模型的两个关键参数m与n氧化层厚度有着密切关系.此外,和有着线性关系,尽管不同的氧化层厚度会引起不同的模型参数,但是如果对于不同厚度的氧化层,采用不同的m与n,Hu的模型仍然成立.在这个结果的基础上,Hu的寿命预测模型能用于更薄的氧化层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭长华	北京大学微电子所	48	99	5.0	7.0
2	许铭真	北京大学微电子所	52	102	5.0	7.0
3	胡靖	北京大学微电子所	7	17	1.0	4.0
4	穆甫臣	北京大学微电子所	7	14	2.0	3.0