关态应力下P-MOSFETs的退化

• 作者: 杨存宇 王子欧 许铭真 谭长华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 关态应力 栅感应漏电(GIDL) HCI 界面陷阱
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 25-30
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 2541字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.01.004

摘要

研究了沟长从0.525μm到1.025μm 9nm厚的P-MOSFETs在关态应力(Vgs＝0，Vds＜0)下的热载流子效应．讨论了开态和关态应力．结果发现由于在漏端附近存在电荷注入，关态漏电流在较高的应力后会减小．但是低场应力后关态漏电流会增加，这是由于新生界面态的作用．结果还发现开态饱和电流和阈值电压在关态应力后变化很明显，这是由于栅漏交叠处的电荷注入和应力产生的界面态的影响．Idsat的退化可以用函数栅电流（Iｇ）乘以注入的栅氧化层电荷数（Qinj）的幂函数表达．最后给出了基于Idsat退化的寿命预测模型．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭长华	北京大学微电子所	48	99	5.0	7.0
2	许铭真	北京大学微电子所	52	102	5.0	7.0
3	王子欧	北京大学微电子所	6	35	2.0	5.0
4	杨存宇	北京大学微电子所	2	0	0.0	0.0