HALO结构pMOSFETs在Vg=Vd/2应力模式下应力相关的热载流子退化

• 作者: 胡靖 许铭真 谭长华 赵要
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 热载流子 一次碰撞电离 二次碰撞电离 复合
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 436-440
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3453字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.04.015

摘要

研究了超薄栅(2.5nm)短沟HALO-pMOSFETs在Vg=Vd/2应力模式下不同应力电压时热载流子退化特性.随着应力电压的变化,器件的退化特性也发生了改变.在加速应力下寿命外推方法会导致过高地估计器件寿命.在高场应力下器件退化是由空穴注入或者电子与空穴复合引起的,随着应力电压的下降器件退化主要是由电子注入引起的.最后,给出了两种退化机制的临界电压并在实验中得到验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭长华	北京大学微电子学研究所	48	99	5.0	7.0
2	许铭真	北京大学微电子学研究所	52	102	5.0	7.0
3	赵要	北京大学微电子学研究所	7	17	1.0	4.0
4	胡靖	北京大学微电子学研究所	7	17	1.0	4.0