DC应力n-MOSFET热载流子退化的1/f噪声特性

• 作者: 余晓光 刘宇安
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: n-MOSFET 热载流子效应 1/fγ噪声
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1263-1267
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.11
• 字数: 732字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.07.007

摘要

研究了DC应力n.MOSFET热载流子退化的Sfγ噪声参量.提出了用噪声参数和Sfγ表征高、中、低三种栅应力下n-MOSFET抗热载流子损伤能力的方法.进行了高、中、低三种栅压DC应力下热载流子退化实验.实验结果和本文模型符合较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘宇安	井冈山大学数理学院	11	12	2.0	3.0
2	余晓光	井冈山大学数理学院	43	124	6.0	8.0