氮化感应致n-MOSFETs Si/SiO2界面应力的研究

• 作者: 徐静平 李斌 黎沛涛
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: n-MOSFETs 栅氧化物 氮化 Si/SiO2界面 氩离子轰击 应力
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 49-51
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 2294字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2000.02.015

摘要

本文借助氩离子(Ar+)背表面轰击技术研究不同氮化处理所导致的n-MOSFETs Si/SiO2界面附近剩余机械应力.结果表明:NH3氮化及N2O生长的氧化物-硅界面附近均存在较大的剩余应力,前者来自过多的界面氮结合,后者来自因为初始加速生长阶段.N2O氮化的氧化物表现出小得多的剩余应力,从而有优良的界面和体特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静平	华中理工大学固体电子学系	2	3	1.0	1.0