PMMA短链接枝下SiO2与硅橡胶基体界面结合强度的分子模拟研究

• 作者: 王成江 曾洪平 郭鸣锐 张扬 张婧 祝梦雅
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: PMMA 温度 电场 界面结合强度 分子模拟
• 年，卷（期）: 2022,（4）
• 所属期刊栏目: 绝缘技术
• 页码范围: 62-70
• 页数: 8页
• 分类号: TM215
• 语种: 中文
• DOI: 10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2022.04.009

摘要

为改善SiO2与甲基乙烯基硅橡胶（MVSR）基体的结合强度，选取聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）作为SiO2的接枝链，以分子模拟为计算手段，通过结合能、分子重叠长度和均方位移的变化，研究在PMMA短链不同接枝密度和接枝链长下SiO2与MVSR基体界面结合强度的变化规律以及电场和温度对SiO2与MVSR基体界面结合强度的影响规律，并与SiO2未接枝和KH570接枝进行比较。结果表明：PMMA作为接枝链对SiO2与MVSR界面结合强度的改善效果相较于常用硅烷偶联剂KH570更好。当接枝密度为13%或16%，接枝链长为5时，PMMA的接枝效果最佳。在负向电场下，界面结合强度随场强的增大而增大，而在正向电场下则随场强的增大而减小。温度的升高会导致SiO2与MVSR界面的结合强度持续降低。