Si/SiO2及Si/SiO2/Si3N4系统的总剂量辐射损伤

• 作者: 余学峰 范隆 郝跃
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: MOS电容 氧化物电荷 界面态 能量分布 辐射损伤
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 页码范围: 433-436
• 页数: 4页
• 分类号: TN432|TN406
• 字数: 2918字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2003.04.002

摘要

从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及界面态的能量分布变化的角度,比较并分析了3种采用54HC电路工艺制作的MOS电容样品的总剂量电离辐射损伤退化,结果显示,采用单绝缘栅介质的Si/SiO2系统的双绝缘栅介质的Si/SiO2/Si3N4系统表现出对总剂量辐射损伤的明显特性差异.在抗总剂量电离辐射能量上,双绝缘栅介质结构甚至劣于常规非加固工艺的单介质Si/SiO2系统结构.同时,对辐射感生界面态的能量分布随辐照总剂量的变化进行了分析,发现试验的3种样品都存在一类深能级界面态,位于中带以上约80meV的位置,该类界面态随辐照剂量的增加最明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	范隆	西安电子科技大学微电子研究所	13	69	5.0	8.0
4	余学峰	中国科学院新疆物理研究所	19	125	7.0	10.0