恒压应力下超薄Si3N4/SiO2叠层栅介质与SiO2栅介质寿命比较

• 作者: 徐秋霞 林钢
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 恒压应力 超薄Si3N4/SiO2叠层栅介质 超薄SiO2栅介质 栅介质寿命预测
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1717-1721
• 页数: 5页
• 分类号: TN406
• 字数: 2872字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.12.033

摘要

以等效氧化层厚度(EOT)同为2.1nm的纯SiO2栅介质和Si3N4/SiO2叠层栅介质为例,给出了恒定电压应力下超薄栅介质寿命预测的一般方法,并在此基础上比较了纯SiO2栅介质和Si3N4/SiO2叠层栅介质在恒压应力下的寿命.结果表明,Si3N4/SiO2叠层栅介质比同样EOT的纯SiO2栅介质有更长的寿命,这说明Si3N4/SiO2叠层栅介质有更高的可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐秋霞	中国科学院微电子研究所	37	108	6.0	8.0
2	林钢	中国科学院微电子研究所	4	10	2.0	3.0