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摘要:
实验成功地制备出等效氧化层厚度为亚2nm的Nitride/Oxynitride(N/O)叠层栅介质难熔金属栅电极PMOS电容并对其进行了可靠性研究.实验结果表明相对于纯氧栅介质而言,N/O叠层栅介质具有更好的抗击穿特性,应力诱生漏电特性以及TDDB特性.进一步研究发现具有更薄EOT的难熔金属栅电极PMOS电容在TDDB特性以及寿命等方面均优于多晶硅栅电极的相应结构.
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文献信息
篇名 超薄Si3N4/SiO2叠层栅介质可靠性研究
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 击穿 Si3N4/SiO2(N/O)叠层 可靠性 应力诱生漏电流(SILC) TDDB特性
年,卷(期) 2007,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 361-364
页数 4页 分类号 TN44
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.02.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐秋霞 中国科学院微电子研究所 37 108 6.0 8.0
2 钟兴华 中国科学院微电子研究所 11 31 4.0 5.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
击穿
Si3N4/SiO2(N/O)叠层
可靠性
应力诱生漏电流(SILC)
TDDB特性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
总被引数(次)
27643
相关基金
国家重点基础研究发展计划(973计划)
英文译名:National Basic Research Program of China
官方网址:http://www.973.gov.cn/
项目类型:
学科类型:农业
论文1v1指导