超薄Si3N4/SiO2叠层栅介质可靠性研究

• 作者: 徐秋霞 钟兴华
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 击穿 Si3N4/SiO2(N/O)叠层 可靠性 应力诱生漏电流(SILC) TDDB特性
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 361-364
• 页数: 4页
• 分类号: TN44
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.02.004

摘要

实验成功地制备出等效氧化层厚度为亚2nm的Nitride/Oxynitride(N/O)叠层栅介质难熔金属栅电极PMOS电容并对其进行了可靠性研究.实验结果表明相对于纯氧栅介质而言,N/O叠层栅介质具有更好的抗击穿特性,应力诱生漏电特性以及TDDB特性.进一步研究发现具有更薄EOT的难熔金属栅电极PMOS电容在TDDB特性以及寿命等方面均优于多晶硅栅电极的相应结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐秋霞	中国科学院微电子研究所	37	108	6.0	8.0
2	钟兴华	中国科学院微电子研究所	11	31	4.0	5.0