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超薄Si3N4/SiO2叠层栅介质可靠性研究
超薄Si3N4/SiO2叠层栅介质可靠性研究
作者:
徐秋霞
钟兴华
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
击穿
Si3N4/SiO2(N/O)叠层
可靠性
应力诱生漏电流(SILC)
TDDB特性
摘要:
实验成功地制备出等效氧化层厚度为亚2nm的Nitride/Oxynitride(N/O)叠层栅介质难熔金属栅电极PMOS电容并对其进行了可靠性研究.实验结果表明相对于纯氧栅介质而言,N/O叠层栅介质具有更好的抗击穿特性,应力诱生漏电特性以及TDDB特性.进一步研究发现具有更薄EOT的难熔金属栅电极PMOS电容在TDDB特性以及寿命等方面均优于多晶硅栅电极的相应结构.
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长柱状
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内容分析
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相关学者/机构
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内容分析
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相关文献总数
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(/年)
文献信息
篇名
超薄Si3N4/SiO2叠层栅介质可靠性研究
来源期刊
电子器件
学科
工学
关键词
击穿
Si3N4/SiO2(N/O)叠层
可靠性
应力诱生漏电流(SILC)
TDDB特性
年,卷(期)
2007,(2)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
361-364
页数
4页
分类号
TN44
字数
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1005-9490.2007.02.004
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
徐秋霞
中国科学院微电子研究所
37
108
6.0
8.0
2
钟兴华
中国科学院微电子研究所
11
31
4.0
5.0
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二级引证文献(4)
2015(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
2018(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
击穿
Si3N4/SiO2(N/O)叠层
可靠性
应力诱生漏电流(SILC)
TDDB特性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
主办单位:
东南大学
出版周期:
双月刊
ISSN:
1005-9490
CN:
32-1416/TN
开本:
大16开
出版地:
南京市四牌楼2号
邮发代号:
创刊时间:
1978
语种:
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
总被引数(次)
27643
相关基金
国家重点基础研究发展计划(973计划)
英文译名:
National Basic Research Program of China
官方网址:
http://www.973.gov.cn/
项目类型:
学科类型:
农业
期刊文献
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