Si3N4/SiO2复合栅介质电离辐照的电子能谱分析

• 作者: 严荣良 范隆 郝跃 陆妩
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: X光激发电子能谱 Si3N4 SiO2/Si Si过渡态 电离辐照 偏置
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 页码范围: 302-305
• 页数: 4页
• 分类号: TN432|TN406
• 字数: 2298字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2003.03.004

摘要

采用氩离子刻蚀X光激发电子能谱分析方法对Si3N4/SiO2/Si复合栅介质系统进行电离辐照剖析.实验结果表明存在一个由Si3N4和SiO2构成的界面区及由SiO2和Si构成的界面区,电离辐照能将SiO2/Si界面区中心向Si3N4/SiO2界面方向推移,同时SiO2/Si界面区亦被电离辐照展宽;电离辐照相当程度地减少位于SiO2/Si界面至Si衬底之间Si过渡态的浓度.在同样偏置电场中辐照,随着辐照剂量的增加SiO2/Si界面区中Si过渡态键的断开量也增加,同时辐照中所施偏置电场对SiO2/Si界面区Si过渡态键断开有显著作用.并对实验现象进行了机制分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子所	312	1866	17.0	25.0
2	范隆	西安电子科技大学微电子所	13	69	5.0	8.0
4	严荣良	中国科学院新疆物理研究所	22	83	5.0	8.0
5	陆妩	中国科学院新疆物理研究所	42	320	11.0	16.0