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摘要:
采用氩离子刻蚀X光激发电子能谱分析方法对Si3N4/SiO2/Si复合栅介质系统进行电离辐照剖析.实验结果表明存在一个由Si3N4和SiO2构成的界面区及由SiO2和Si构成的界面区,电离辐照能将SiO2/Si界面区中心向Si3N4/SiO2界面方向推移,同时SiO2/Si界面区亦被电离辐照展宽;电离辐照相当程度地减少位于SiO2/Si界面至Si衬底之间Si过渡态的浓度.在同样偏置电场中辐照,随着辐照剂量的增加SiO2/Si界面区中Si过渡态键的断开量也增加,同时辐照中所施偏置电场对SiO2/Si界面区Si过渡态键断开有显著作用.并对实验现象进行了机制分析.
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文献信息
篇名 Si3N4/SiO2复合栅介质电离辐照的电子能谱分析
来源期刊 西安电子科技大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 X光激发电子能谱 Si3N4 SiO2/Si Si过渡态 电离辐照 偏置
年,卷(期) 2003,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 302-305
页数 4页 分类号 TN432|TN406
字数 2298字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2400.2003.03.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郝跃 西安电子科技大学微电子所 312 1866 17.0 25.0
2 范隆 西安电子科技大学微电子所 13 69 5.0 8.0
4 严荣良 中国科学院新疆物理研究所 22 83 5.0 8.0
5 陆妩 中国科学院新疆物理研究所 42 320 11.0 16.0
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研究主题发展历程
节点文献
X光激发电子能谱
Si3N4
SiO2/Si
Si过渡态
电离辐照
偏置
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
西安电子科技大学学报(自然科学版)
双月刊
1001-2400
61-1076/TN
西安市太白南路2号349信箱
chi
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