3.4nm超薄SiO2栅介质的特性

• 作者: 张兴 田大宇 许晓燕 谭静荣 高文钰 黄如
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超薄栅介质 软击穿 硼扩散
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 269-270
• 页数: 2页
• 分类号: TN331.1
• 字数: 1517字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2002.02.031

摘要

用LOCOS工艺制备出栅介质厚度为3.4nm的MOS电容样品,通过对样品进行I-V特性和恒流应力下V-t特性的测试,分析用氮气稀释氧化法制备的栅介质的性能,同时考察了硼扩散对栅介质性能的影响.实验结果表明,制备出的3.4nm SiO2栅介质的平均击穿场强为16.7MV/cm,在恒流应力下发生软击穿,平均击穿电荷为2.7C/cm2.栅介质厚度相同的情况下,P+栅样品的击穿场强和软击穿电荷都低于N+栅样品.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子学研究所	87	413	9.0	17.0
2	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
3	田大宇	北京大学微电子学研究所	12	46	5.0	6.0
4	谭静荣	北京大学微电子学研究所	5	4	1.0	1.0
5	高文钰	北京大学微电子学研究所	6	20	2.0	4.0
6	许晓燕	北京大学微电子学研究所	6	6	1.0	1.0