ZnSe/SiO2复合材料光学吸收特性的研究

• 作者: 万幸 吴小清 姚熹 汪敏强 郝海燕
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: ZnSe/SiO2纳米复合材料 光学吸收 光学限幅
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 页码范围: 1391-1395
• 页数: 5页
• 分类号: O437
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-987X.2005.12.025

摘要

采用溶胶-凝胶原位析晶法和高温还原热处理工艺制备了ZnSe/SiO2纳米复合材料.通过吸收光谱和Z-Scan技术对材料的光学吸收特性进行了表征.在吸收光谱中,不同ZnSe摩尔分数的样品的吸收边相对于ZnSe体材料发生了不同程度的蓝移,蓝移量与复合材料中ZnSe纳米晶粒的尺寸有关,根据量子尺寸效应估算了复合材料中ZnSe纳米晶粒的平均尺寸大约为3～4 nm. 利用Z-Scan技术测定了ZnSe摩尔分数为0.01和0.03的ZnSe/SiO2纳米复合材料的双光子吸收系数.ZnSe/SiO2纳米复合材料在不同强度的入射光的激发下其出射光强度与入射光强度之间的关系呈现光学限幅特征,ZnSe摩尔分数为0.01的样品的限幅阈值为5 962 GW/m2,嵌位输出值约为4 800 GW/m2,限幅的破坏阈值为12 400 GW/m2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚熹	西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室	172	1611	18.0	30.0
2	吴小清	西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室	18	216	8.0	14.0
3	汪敏强	西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室	39	492	11.0	21.0
4	郝海燕	西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室	6	25	4.0	5.0
5	万幸	西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室	1	5	1.0	1.0