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脉冲应力增强的NMOSFET′s热载流子效应研究
脉冲应力增强的NMOSFET′s热载流子效应研究
作者:
刘红侠
郝跃
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
热载流子效应
脉冲应力
NMOSFET′s
电子陷阱
摘要:
本文研究了交流应力下的热载流子效应,主要讨论了脉冲应力条件下的热空穴热电子交替注入对NMOSFET′s的退化产生的影响.在脉冲应力下,阈值电压和跨导的退化增强.NMOSFET′s在热空穴注入后,热电子随后注入时,会有大的退化量,这可以用中性电子陷阱模型和脉冲应力条件下热载流子注入引起的栅氧化层退化来解释.本文还定量分析研究了NMOSFET′s退化与脉冲延迟时间和脉冲频率的关系,并且给出了详细的解释.在脉冲应力条件下,器件的热载流子退化是由低栅压下注入的热空穴和高栅压下热电子共同作用的结果.
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内容分析
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关键词热度
相关文献总数
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文献信息
篇名
脉冲应力增强的NMOSFET′s热载流子效应研究
来源期刊
电子学报
学科
工学
关键词
热载流子效应
脉冲应力
NMOSFET′s
电子陷阱
年,卷(期)
2002,(5)
所属期刊栏目
学术论文
研究方向
页码范围
658-660
页数
3页
分类号
TN406
字数
3628字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0372-2112.2002.05.012
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
郝跃
西安电子科技大学微电子研究所
312
1866
17.0
25.0
2
刘红侠
西安电子科技大学微电子研究所
91
434
10.0
15.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(0)
共引文献
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参考文献
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节点文献
引证文献
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同被引文献
(0)
二级引证文献
(0)
1984(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1989(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1990(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1991(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
1992(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1994(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2002(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2010(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2018(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
热载流子效应
脉冲应力
NMOSFET′s
电子陷阱
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子学报
主办单位:
中国电子学会
出版周期:
月刊
ISSN:
0372-2112
CN:
11-2087/TN
开本:
大16开
出版地:
北京165信箱
邮发代号:
2-891
创刊时间:
1962
语种:
chi
出版文献量(篇)
11181
总下载数(次)
11
总被引数(次)
206555
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:
The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:
http://www.863.org.cn
项目类型:
重点项目
学科类型:
信息技术
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