脉冲应力增强的NMOSFET′s热载流子效应研究

• 作者: 刘红侠 郝跃
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 热载流子效应 脉冲应力 NMOSFET′s 电子陷阱
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 658-660
• 页数: 3页
• 分类号: TN406
• 字数: 3628字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2002.05.012

摘要

本文研究了交流应力下的热载流子效应,主要讨论了脉冲应力条件下的热空穴热电子交替注入对NMOSFET′s的退化产生的影响.在脉冲应力下,阈值电压和跨导的退化增强.NMOSFET′s在热空穴注入后,热电子随后注入时,会有大的退化量,这可以用中性电子陷阱模型和脉冲应力条件下热载流子注入引起的栅氧化层退化来解释.本文还定量分析研究了NMOSFET′s退化与脉冲延迟时间和脉冲频率的关系,并且给出了详细的解释.在脉冲应力条件下,器件的热载流子退化是由低栅压下注入的热空穴和高栅压下热电子共同作用的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	刘红侠	西安电子科技大学微电子研究所	91	434	10.0	15.0