一种抗热载流子退化效应的新型CMOS电路结构

• 作者: 于奇 李竟春 杨谟华 王向展 谢孟贤 陈勇
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET衬底电流 热载流子效应 BERT肖特基金半接触 新型CMOS电路结构
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 65-67
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 字数: 1840字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2000.05.018

摘要

本文在分析MOSFET衬底电流原理的基础上,提出了一种新型抗热载流子退化效应的CMOS数字电路结构.即通过在受热载流子退化效应较严重的NMOSFET漏极串联一肖特基二级管,来减小其所受电应力.经SPICE及电路可靠性模拟软件BERT2.0对倒相器的模拟结果表明:该结构使衬底电流降低约50%,器件的热载流子退化效应明显改善而不会增加电路延迟;且该电路结构中肖特基二级管可在NMOSFET漏极直接制作肖特基金半接触来方便地实现,工艺简明可行又无须增加芯片面积.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于奇	电子科技大学微电子科学与工程系	50	252	8.0	13.0
2	杨谟华	电子科技大学微电子科学与工程系	58	278	8.0	11.0
3	王向展	电子科技大学微电子科学与工程系	32	142	7.0	9.0
4	陈勇	电子科技大学微电子科学与工程系	66	345	9.0	15.0
5	谢孟贤	电子科技大学微电子科学与工程系	5	43	3.0	5.0
6	李竟春	电子科技大学微电子科学与工程系	1	6	1.0	1.0