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摘要:
针对CCD片上放大器的寿命进行了研究.通过设计独立的MOSFET,使用衬底电流模型进行热载流子效应分析,研究其特性参数Gm退化量与退化时间关系,由此评价组成CCD片上放大器的寿命.研究结果表明,CCD片上放大器寿命随着栅长的减小而降低,制作LDD结构可提高CCD片上放大器寿命.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 热载流子效应对CCD片上放大器寿命的影响
来源期刊 电子科技 学科 工学
关键词 CCD 放大器 寿命 热载流子效应
年,卷(期) 2014,(4) 所属期刊栏目 电子·电路
研究方向 页码范围 69-71,75
页数 4页 分类号 TN722
字数 1428字 语种 中文
DOI
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研究主题发展历程
节点文献
CCD
放大器
寿命
热载流子效应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子科技
月刊
1007-7820
61-1291/TN
大16开
西安电子科技大学
1987
chi
出版文献量(篇)
9344
总下载数(次)
32
总被引数(次)
31437
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