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摘要:
采用V掺杂半绝缘6H-SiC单晶衬底材料制备了平面电极型大功率SiC光导开关,用强度为150 μJ/mm2、波长为355 nm的脉冲激光对开关进行触发,在1~14 kV的外加电压范围内对光导开关的耐压特性、导通电阻等性能进行了研究.结果表明:随着开关外加电压的升高,开关的电流峰值呈现不断增大的趋势,当开关外加电压为14 kV时,电流峰值达185 A,对应的光导开关峰值功率为2.59 MW,开关的导通电阻约为22 Ω.
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文献信息
篇名 V掺杂6H-SiC光导开关制备与性能研究
来源期刊 强激光与粒子束 学科
关键词 碳化硅 光导开关 导通电阻 峰值功率
年,卷(期) 2014,(4) 所属期刊栏目 脉冲功率技术
研究方向 页码范围 268-271
页数 4页 分类号
字数 2714字 语种 中文
DOI 10.11884/HPLPB201426.045043
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 施尔畏 中国科学院上海硅酸盐研究所 71 1736 25.0 41.0
2 刘学超 中国科学院上海硅酸盐研究所 13 94 4.0 9.0
3 黄维 中国科学院上海硅酸盐研究所 26 228 9.0 15.0
4 周天宇 中国科学院上海硅酸盐研究所 2 2 1.0 1.0
5 代冲冲 中国科学院上海硅酸盐研究所 1 2 1.0 1.0
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强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
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