外延层厚度对垂直结构6H-SiC光导开关特性影响的研究

• 作者: 周郁明 姜浩楠
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 半绝缘 SiC 光导开关 击穿电压
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 固体电子器件及材料
• 页码范围: 589-593
• 页数: 5页
• 分类号: TM89|TN365
• 字数: 862字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2013.05.002

摘要

设计了新颖的具有垂直结构的6H-SiC光导开关.首先采用离子注入工艺在半绝缘6H-SiC衬底两侧生成一层p+离子注入层,然后利用外延工艺在其中的一侧生长一层n+外延层,并将此侧定义为开关的阴极.利用二维半导体器件仿真软件,研究了n+外延层厚度对6H-SiC光导开关特性的影响.结果表明,增加外延层厚度可以提高开关的击穿电压;而开关的导通电流,首先随着n+外延层厚度的增加而减小,在n+外延层厚度为5μm达到最小值,随后随着厚度的增加,导通电流增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周郁明	安徽工业大学电气信息学院	15	19	2.0	3.0
2	姜浩楠	安徽工业大学电气信息学院	1	2	1.0	1.0