75mm 4°偏轴4H-SiC水平热壁式CVD外延生长

• 作者: 张岚 李哲洋 柏松 董逊 陈刚 陈辰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 水平热壁式CVD 4H-SiC 同质外延 均匀性
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1347-1349
• 页数: 3页
• 分类号: TN301
• 字数: 1401字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.07.023

摘要

利用水平热壁式CVD外延生长技术,在75mm偏向1120方向4°的(0001)Si-面n型导电衬底上同质外延生长了4H-SiC薄膜.光学显微镜和原子力显微镜测试结果表明外延层表面存在三角形、胡萝卜状等典型的4°偏轴外延缺陷及普遍的台阶形貌.通过优化外延参数,片内浓度均匀性(σ/mean)和厚度均匀性分别达到4.37%和l.81%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈刚	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室	19	61	5.0	7.0
2	张岚	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室	7	23	3.0	4.0
3	李哲洋	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室	11	71	5.0	8.0
4	柏松	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室	20	83	6.0	8.0
5	董逊	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室	9	39	3.0	6.0