不同退火温度下金属/4H-SiC Schottky势垒高度的研究

• 作者: 吴正云 孔令民 杨伟锋 杨克勤 林雪娇 蔡加法 陈厦平
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 4H-SiC Schottky势垒高度 退火
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体光学
• 页码范围: 251-255
• 页数: 5页
• 分类号: O434.22|TN303
• 字数: 3258字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2005.02.024

摘要

采用磁控溅射的方法在4H-SiC样品上分别沉积四种金属薄膜(Ag,Cu,Ni,Cr)形成Schottky接触,研究了不同温度退火对Schottky势垒高度的影响.通过对样品的I-V测试结果的拟合,得到各金属/4H-SiC Schottky接触的势垒高度以及理想因子.在反向偏压100V下,样品的反向漏电流小于10-10A,说明样品的反向特性良好.样品经过不同温度的退火后,发现Cu、Ni与4H-SiC的势垒高度(SBH)随退火温度的升高而提高,超过某一温度,其整流特性变差;Ag、Cr的SBH在退火后降低.SBH与金属功函数呈线性关系(Cr金属除外),斜率为0.11.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡加法	厦门大学物理系	27	107	6.0	8.0
2	杨伟锋	厦门大学物理系	22	143	7.0	10.0
3	吴正云	厦门大学物理系	33	190	7.0	12.0
7	陈厦平	厦门大学物理系	12	59	5.0	7.0
8	孔令民	厦门大学物理系	8	24	4.0	4.0
9	杨克勤	厦门大学物理系	3	16	3.0	3.0
10	林雪娇	厦门大学物理系	4	19	3.0	4.0