Ar气退火温度对4H-SiC热氧化层致密性影响研究

• 作者: 孙子茭 张国俊 戴丽萍 王姝娅 葛微微 郑禄达 钟志亲
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 退火温度 致密性 SiO 2
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 电子信息材料与器件
• 页码范围: 292-295
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3296字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2014.02.026

摘要

在Ar气气氛下对热氧化n型4H-SiC生长的SiO 2薄膜进行了1100℃以下不同温度的退火，采用反射式椭圆偏振光谱、红外透射光谱研究了退火温度对SiO 2薄膜致密性的影响。椭偏测试的结果表明，600℃退火后样品具有最大的折射率1.47和最小的厚度84.63 nm。红外研究的结果显示，600℃退火后LO峰强度最强，认为是对应Si-O结构单元浓度最高。Al/SiO 2/SiC MOS结构SiO2的漏电特性研究表明，600℃退火后的SiO2薄膜漏电流相比于其他温度退火的氧化层漏电流小了两个数量级。在外加反向偏压5 V时，漏电流密度仅仅只有5×10-8 A/cm2。600℃退火能显著地改善热氧化层SiO 2的致密性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国俊	电子科技大学微电子与固体电子学院	57	231	8.0	11.0
2	戴丽萍	电子科技大学微电子与固体电子学院	16	54	5.0	6.0
3	钟志亲	电子科技大学微电子与固体电子学院	12	38	4.0	5.0
4	王姝娅	电子科技大学微电子与固体电子学院	14	45	4.0	6.0
5	孙子茭	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	4	1.0	2.0
6	葛微微	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	8	1.0	2.0
7	郑禄达	电子科技大学微电子与固体电子学院	1	0	0.0	0.0