4H-SiC表面热氧化生长SiOx薄膜特性的研究

• 作者: 朱会丽 蔡加法 陈厦平
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 材料 SiOx薄膜 热氧化 X射线光电子能谱 4H-SiC
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 474-479
• 分类号: O484.5|TB303
• 字数: 2805字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2010.04.016

摘要

采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)测试方法对4H-SiC上热氧化生长的氧化硅(SiOx)薄膜表面形貌进行观测,并分析研究SiOx薄膜和SiOx/4H-SiC界面的相关性质,包括拟合Si2p、O1s和C1s的XPS谱线和分析其相应的结合能,以及分析SiOx层中各主要元素随不同深度的组分变化情况,从而获得该热氧化SiOx薄膜的化学组成和化学态结构,并更好地了解其构成情况以及SiOx/4H-SiC的界面性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡加法	厦门大学物理系	27	107	6.0	8.0
2	陈厦平	厦门大学物理系	12	59	5.0	7.0
3	朱会丽	集美大学理学院	3	11	2.0	3.0