4H-SiC基半超结VDMOSFET单粒子烧毁效应

• 作者: 刘保军 刘小强 刘忠永 崔焕卿 杨晓阔 蔡理
• 来源期刊: 空军工程大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 垂直双扩散MOSFET 半超结 单粒子烧毁
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 基础研究
• 页码范围: 95-100
• 页数: 6页
• 分类号: TN432|TN406
• 字数: 3778字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-3516.2018.03.017

摘要

4H-SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOSFET)由于N型底部辅助层(NBAL)的引入,可以采用相对较小深宽比的超结结构,从而降低了制造工艺的成本与难度.利用器件仿真器Atlas建立了器件的二维仿真结构,对4H-SiC超结和半超结VDMOSFET的单粒子烧毁(SEB)效应进行了对比,随后研究了NBAL浓度变化对4H-SiC半超结VDMOSFET抗SEB能力的影响.结果表明,在相同漏电压下,NBAL导致半超结VDMOSFET在N漂移区/N+衬底结处的电场峰值比超结VDMOSFET的电场峰值降低了27％.超结VDMOSFET的SEB阈值电压(VSEB)为920V,半超结VDMOSFET的VSEB为1 010 V,半超结VDMOSFET的抗SEB能力提升了10％.随着NBAL浓度的逐渐增加,半超结VDMOSFET的抗SEB能力先增强后减弱,存在一个最优的NBAL浓度使其抗SEB能力最好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘保军		24	50	5.0	5.0
2	杨晓阔	空军工程大学基础部	45	108	6.0	8.0
3	蔡理	空军工程大学基础部	136	382	8.0	11.0
4	刘小强	空军工程大学基础部	6	21	3.0	4.0
5	崔焕卿	空军工程大学基础部	13	13	2.0	3.0
6	刘忠永	空军工程大学基础部	1	0	0.0	0.0