LPCVD法制备的高纯半绝缘4H-SiC晶体ESR谱特性

• 作者: 廖宇龙 张义门 张玉明 程萍 郭辉
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 低压化学气相沉积 高纯半绝缘4H-SiC 电子自旋共振 本征缺陷
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4214-4218
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.06.094

摘要

利用电子自旋共振波谱(ESR)仪,分析由低压化学气相沉积(LPCVD)法制备的高纯半绝缘4H-SiC材料本征缺陷.结果发现,在暗场条件下获得的缺陷信息具有碳空位(VC)及其络合物的特征;谱线具有半高宽较大、峰谷明显不对称的特点.分析认为造成ESR谱线半高宽较大及峰谷不对称现象的主要原因是测试温度较高.同时,吸收谱中峰谷不对称现象及较大半高宽现象的出现还与不对称的晶格结构及缺陷浓度的不均匀分布有关.在110 K测试温度下,能级上的电子分布对ESR谱特性影响很小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	郭辉	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	21	161	9.0	12.0
4	程萍	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	3	11	2.0	3.0
5	廖宇龙	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	1	5	1.0	1.0