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高纯半绝缘4H-SiC单晶的生长
高纯半绝缘4H-SiC单晶的生长
作者:
彭燕
徐现刚
杨昆
杨祥龙
胡小波
陈秀芳
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
碳化硅
物理气相传输法
半绝缘
摘要:
使用物理气相传输方法(PVT)制备了直径为3英寸、非故意深能级杂质(如:钒)掺杂的半绝缘4H-SiC晶体.使用二次离子质谱(SIMS)、拉曼光谱面扫描、非接触电阻率测试面扫描和高分辨XRD摇摆曲线对衬底的浅能级和两性深能级杂质的浓度、衬底晶型、衬底电阻率和衬底结晶质量进行了表征.结果表明,衬底全部面积电阻率大于4×109 Ω·cm,钒浓度低于探测限,这表明浅能级杂质浓度已经低至可以被本征缺陷引入深能级完全补偿范围;拉曼光谱结果表明衬底4H-SiC晶型面积比例为100%;(004)衍射面高分辨X射线摇摆曲线半宽仅25秒,表明了衬底良好的结晶质量.使用上述高纯半绝缘衬底制备的高电子迁移率器件(HEMT)具备良好的电学性质.
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低压化学气相沉积
高纯半绝缘4H-SiC
电子自旋共振
本征缺陷
4H-SiC材料中刃型位错的仿真模拟研究
4H-SiC
刃型位错
第一性原理
内容分析
文献信息
引文网络
相关学者/机构
相关基金
期刊文献
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
(/次)
(/年)
文献信息
篇名
高纯半绝缘4H-SiC单晶的生长
来源期刊
人工晶体学报
学科
物理学
关键词
碳化硅
物理气相传输法
半绝缘
年,卷(期)
2014,(11)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
3055-3057
页数
3页
分类号
O78
字数
1501字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
胡小波
山东大学晶体材料国家重点实验室
67
321
9.0
14.0
2
徐现刚
山东大学晶体材料国家重点实验室
77
407
10.0
16.0
3
彭燕
山东大学晶体材料国家重点实验室
9
23
4.0
4.0
4
杨昆
山东大学晶体材料国家重点实验室
6
20
3.0
4.0
5
陈秀芳
山东大学晶体材料国家重点实验室
17
102
5.0
9.0
6
杨祥龙
山东大学晶体材料国家重点实验室
6
13
2.0
3.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(9)
共引文献
(1)
参考文献
(1)
节点文献
引证文献
(2)
同被引文献
(1)
二级引证文献
(0)
1995(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1997(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
2000(2)
参考文献(0)
二级参考文献(2)
2001(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
2003(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
2004(3)
参考文献(0)
二级参考文献(3)
2007(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2014(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2015(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2018(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
碳化硅
物理气相传输法
半绝缘
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
国家重点基础研究发展计划(973计划)
英文译名:
National Basic Research Program of China
官方网址:
http://www.973.gov.cn/
项目类型:
学科类型:
农业
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